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ZNBG系列器件旨在滿足衛星接收器LNB,PMR,蜂窩電話等

時間:2019-4-3, 來源:互聯網, 文章類別:元器件知識庫

FET偏置控制器
器件說明ZNBG系列器件旨在滿足衛星接收器LNB,PMR,蜂窩電話等常用的GaAs和HEMT FET的偏置要求,并且外部元件最少。通過增加兩個電容器和電阻器,器件可為多個外部接地源FET提供漏極電壓和電流控制,從而產生FET柵極偏置所需的穩壓負軌,同時采用單電源供電。這種-3V的負偏壓也可用于提供其他外部電路。 ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1分別包含四個和六個偏置級。在設置漏極電流時,ZNBG4000 / 1兩個電阻允許單獨的FET對控制到不同的電平,ZNBG6000 / 1兩個電阻分開控制在兩個和四個FET之間。這允許調節輸入FET的工作電流以使噪聲最小化,同時可以分別調節以下FET級以獲得最大增益。該系列還提供了為FET設置的漏極電壓選擇,ZNBG4000 / 6000提供2.2伏的漏極,而ZNBG4001 / 6001則提供2伏特。
這些器件在整個工作溫度范圍內無條件穩定,FET就位,但需要包含推薦的柵極和漏極電容。這些確保了RF穩定性和最小的注入噪聲。可以使用少于器件的全部FET偏置控制,未使用的漏極和柵極連接可以保持開路而不影響剩余偏置電路的操作。為了保護外部FET,電路設計用于確保在任何條件下,包括上電/下電瞬態,來自偏置電路的柵極驅動不能超過-3.5V至0.7V的范圍。此外,如果負軌經歷諸如過載或短路的故障狀況,則FET的漏極電源將關閉以避免過大的電流流動。 ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1分別采用QSOP16和20引腳封裝,器件尺寸最小。設備工作溫度為-40至70°C,適合各種環境條件。
特點•為GaAs和HEMT FET提供偏置•驅動多達四個或六個FET•動態FET保護•由外部電阻設置的漏極電流•穩壓負軌發生器僅需2個外部電容•漏極電壓可選•寬電源電壓范圍•QSOP表面貼裝封裝
應用•衛星接收器LNB•專用移動無線電
FET偏置控制器 設備說明 ZNBG系列設備旨在實現 滿足GaAs和GaAs的偏置要求 HEMT FET常用于衛星 接收器LNB,PMR,蜂窩電話等 使用最少的外部組件。 增加兩個電容器和 電阻器件提供漏極電壓 和一些外部的電流控制 接地源FET,產生 FET柵極需要調節負軌 偏向于單一操作 供應。 這種負偏壓,-3伏,可以 也用于供應其他外部 電路。 ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1包含 分別為四個和六個偏置階段。 在 設置漏極電流ZNBG4000 / 1兩個 電阻器允許單獨的FET對控制 到不同的級別,ZNBG6000 / 1兩個 電阻分開控制在兩到四之間 場效應管。 這允許工作電流 輸入FET需要調整以最小化噪聲, 而以下的FET階段可以 單獨調整以獲得最大增益。 該系列還提供排水選擇 為FET設置的電壓, ZNBG4000 / 6000可提供2.2伏的電壓 ZNBG4001 / 6001給出2伏特。 這些設備無條件穩定 在整個工作溫度下 FET就位,但包含在內 推薦的柵極和漏極電容。 這些確保RF穩定性和最小化 注入噪音。 可以使用少于設備的全部設備 FET偏置控制的補充,未使用 排水和閘門連接可以保持打開狀態 電路不影響操作 剩余的偏置電路。 為了保護外部FET 電路設計用于確保 在任何條件下,包括權力 上/下瞬變,門驅動器從 偏置電路不能超過-3.5V的范圍 到0.7V。 此外,如果負軌 遇到故障情況,例如 過載或短路,漏極供電 FET將關閉以避免過度 電流。 ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1是 提供QSOP16和20引腳封裝 分別為器件尺寸的最小值。 器件工作溫度為-40至70°C 適應各種環境 條件。 特征 • 為GaAs和HEMT FET提供偏置 • 最多可驅動四個或六個FET • 動態FET保護 • 由外部電阻設置的漏極電流 • 調節負軌發電機 只需要2個外部電容器 • 選擇漏極電壓 • 寬電源電壓范圍 • QSOP表面貼裝封裝 應用 • 衛星接收器LNB • 私人移動無線電(PMR) • 蜂窩電話 ZNBG4000 ZNBG4001 ZNBG6000 ZNBG6001 4-137

絕對最大額定值 電源電壓 -0.6V至15V 電源電流 100毫安 漏極電流(每個FET) 0到15mA (由R CAL1和R CAL2設定 ) 輸出電流 100毫安 工作溫度 -40至70°C 貯存溫度 -50至85°C 功耗(T amb = 25°C) QSOP16 500mW的 QSOP20 為650mW 電氣特性測試條件(除非另有說明): Ť 磁懸浮 = 25℃,V CC = 5V,I D =10毫安(R CAL1 = 33KΩ; R CAL2 = 33KΩ) 符號參數 條件 極限 單位 敏 典型 馬克斯 V CC 電源電壓 五 12 V 我 CC 電源電流 ZNBG4000 / 1 我 D1到I D4 = 0 I D1到I D4 = 10mA 10 50 嘛 嘛 我 CC 電源電流 ZNBG6000 / 1 ID1到I D6 = 0 I D1到I D6 = 10mA 15 75 嘛 嘛 V SUB 基板電壓 (內部生成) 我 SUB = 0 我 SUB = -200μA -3.5 -3 -2 -2 V V E ND E NG 輸出噪音 漏電壓 柵極電壓 C G = 4.7nF,C D = 10nF C G = 4.7nF,C D = 10nF 0.02 0.005 中Vpkpk 中Vpkpk f O. 振蕩器頻率 200 350 800 千赫 排水特征 我 D 當前 8 10 12 嘛 目前的變化 Δ 我 DV 與V CC V CC = 5至12V 0.02 %/ V ΔI DT 與T j T j = -40至+ 70℃ 0.05 %/C V D. 電壓 ZNBG4000,ZNGB6000 ZNBG4001,ZNBG6001 2 1.8 2.2 2 2.4 2.2 V V 電壓變化 ΔV DV 與V CC V CC = 5至12V 0.5 %/ V ΔV DT 與T j T j = -40至+ 70℃ 50 PPM

符號參數 條件 極限 單位 敏 典型 馬克斯 門特征 我 走 輸出電流范圍 -30 2000 μA 輸出電壓 ZNBG4000 / 1 V OL 輸出低 I D1到I D4 = 12mA 我 G1到I G4 = 0 -3.5 -2 V I D1到I D4 = 12mA 我 G1至G4我= -10μA -3.5 -2 V V OH 輸出高 我 D1到I D4 = 8mA 我 G1到I G4 = 0 0 1 V 輸出電壓 ZNBG6000 / 1 V OL 輸出低 I D1到I D6 = 12mA 我 G1到I G6 = 0 -3.5 -2 V I D1到I D6 = 12mA 我 G1至G6我= -10μA -3.5 -2 V V OH 輸出高 I D1到I D6 = 8mA 我 G1到I G6 = 0 0 1 V 筆記: 1.指定的負偏置電壓使用內部振蕩器在片內產生。 兩個外部電容,C NB和C SUB , 為此需要47nF。 2.特性使用兩個外部參考電阻器測量r值33KΩ的CAL1和R CAL2有線從銷řCAL1 / 2到 地面。 對于ZNBG4000,電阻器R CAL1設置FET 1和2的漏極電流,電阻器R CAL2設置FET 3和4的漏極電流。 對于ZNBG6000,電阻器R CAL1設置FET 1和4的漏極電流,電阻器R CAL2設置FET 2,3和5的漏極電流。 3.生產中未測量噪聲電壓。 4.噪聲電壓測量采用FET,柵極和漏極電容均在所有位置進行 輸出。 C G ,4.7nF連接在柵極輸出和地之間,C D ,10nF連接 漏極輸出和地之間。

功能說明 ZNBG器件提供外部FET的所有偏置要求,包括發電 柵極偏置所需的負電源,來自單電源電壓。 上圖顯示了ZNBG系列的單個階段。 ZNBG4000 / 1包含4個這樣的 階段,ZNBG6000 / 1包含6.負軌發生器對所有設備都是通用的。 外部FET Q N 的漏極電壓由ZNBG器件設置為其正常工作電壓。 這由板載V D設置參考確定,對于ZNBG4000 / 6000,這名義上是 2.2伏特,而ZNBG4001 / 6001標稱提供2伏特。 FET采用的漏極電流由低值電阻器I D Sense 監控 。 放大器 驅動FET的柵極調節Q N 的柵極電壓,使得所采用的漏極電流匹配 由外部電阻R CAL 調用的電流 。 兩個ZNBG設備都具有編程功能 不同的漏極電流進入選定的FET。 提供兩個R CAL輸入。 對于ZNBG4000, 電阻R CAL1設置FET 1和2的漏極電流,電阻R CAL2設置FET的漏極電流 對于ZNBG6000,電阻R CAL1設置FET 1和4的漏極電流,電阻R CAL2 設置FET 2,3,5和6的漏極電流。 由于FET是耗盡型晶體管,因此通常需要驅動其柵極負極 接地以獲得所需的漏極電流。 提供此功能 單個正電源,該器件包括一個低電流負電源發生器。 這個 發生器使用內部振蕩器和兩個外部電容,C NB和C SUB

典型應用電路

應用信息 以上是ZNBG系列的部分應用電路,顯示了所有外部元件 適當的偏差所需。 偏置電路在整個過程中無條件穩定 電路中的相關FET和柵極和漏極電容的溫度范圍。 電容器C D和C G確保殘余電源和基板發生器噪聲不會 允許影響可能對RF干擾敏感的其他外部電路。 他們也 用于通過ZNBG設備抑制各級之間的任何潛在RF饋通。 這些 所有使用的級都需要電容器。 分別為10nF和4.7nF的值 但建議這取決于設計,1nF到100nF之間的任何值都可以 使用。 電容器C NB和C SUB是ZNBG負電源發生器的組成部分。 該 使用內部振蕩器在芯片上產生負偏置電壓。 所需的價值 電容器C NB和C SUB為47nF。 該發電機產生大約的低電流電流 -3伏特。 雖然這個發生器純粹是為了偏置外部FET,但它可以用來 通過C SUB引腳為其他外部電路供電 。 電阻R CAL1 / 2設置所有外部FET工作的漏極電流。 兩種ZNBG設備 有能力將不同的漏極電流編程到選定的FET中。 兩個R CAL輸入 提供。 對于ZNBG4000,電阻R CAL1設置FET 1和2的漏極電流,電阻R CAL2 設置FET 3和4的漏極電流。對于ZNBG6000,電阻R CAL1設置漏極電流 在FET 1和4中,電阻R CAL2設置FET 2,3,5和6的漏極電流。如果相同的漏極電流 在任一器件上的所有FET都需要,然后引腳R CAL1和R CAL2可以連接在一起 通過一個半正常值的校準電阻分流到地。 如果不需要任何偏置控制電路,則其相關的漏極和柵極連接可以保持斷開 電路不影響剩余偏置電路的操作。 如果所有FET都與之相關聯 省略了電流設定電阻,仍應包括特定的R CAL 。 供應 如果需要,可以通過使用高值R CAL電阻(例如470k) 來降低電流

申請資料(續) ZNBG器件旨在保護外部FET免受不良操作 條件。 JFET連接到任何偏置電路,偏置電路的柵極輸出電壓 在任何條件下,包括上電和斷電,都不能超過-3.5V至0.7V的范圍 瞬變。 負偏壓發生器應該短路還是過載以使漏極電流 無法再控制外部FET的電阻,關閉FET的漏極電源以避免 過大的漏極電流會對FET造成損壞。 下圖顯示了典型LNB應用中的ZNBG4000 / 1和ZNBG6000 / 1。 在每個FET增益級內,編號系統指示偏置級如何與其相關 應用電路。 當RCAL值用于設置不同的漏極電流時,這很重要。 雙標準或增強型LNB框圖

雙標準或增強型LNB框圖。 高增益

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